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法用于制造半导体结构如绝缘体上半导体(脊背负)衬底结构如绝缘体上的超薄埋入氧化物型硅(SOI)衬底结构,使用智能切割(RTM:粘接和薄层转移技术)技术。用途包括但不限于电子,光学,光电或光电子领域。

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使用智能剪切制造例如半导体上绝缘子 (SeOI) 衬底结构如超瘦埋氧化型硅 (soi) 衬底结构、 半导体结构方法 (RTM: 邦定和薄层转让技术) 技术。用途包括但不是限于电子、 光学、 光伏或光电子领域。

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制造的一个半导体结构半导体即方法在绝缘体(SeOI)基体结构例如超稀薄的被埋没的氧化物类型绝缘体上硅薄膜(SOI)基体结构,使用聪明的裁减(RTM :结合和薄层调动技术)技术。用途包括,但是没有被限制到电子,光学,光致电压或者光电子学领域。

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方法为制造半导体结构即。 半导体在绝缘体 (SeOI) 基体结构例如超稀薄的被埋没的氧化物类型硅在绝缘体 (SOI) 基体结构,使用 聪明的裁减 (RTM : 结合和薄层调动技术) 技术。 用途包括,但没有被限制到电子,光学,光致电压或者光电子学领域。
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