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该方法允许的良好品质的复合材料晶片的制造,而不需要进一步的附加处理步骤。即使第一制造运行期间,用新鲜的供体基板,所述热处理步骤来实现该绝缘层可以进行在通常的温度下不会过多地影响被转印层的结晶质量。在低温区也允许以缓解初始新鲜施体晶片的制造中,由于能够使用的其中仍然可以回收至少三次降低结晶质量供体晶片。

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这个方法允许制造的优质复合材料晶片不需要进一步治疗步骤。 即使在运行的第一个制造,使用的是新捐助国基体、散热治疗步骤,实现隔热层可在进行的一般温度而不影响太重的结晶质量的传输层。 低温度制度还允许轻松制造新捐助者的初始晶片,因为它有可能利用捐助国减少结晶晶片的质量,仍然可以进行回收至少三次。

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方法允许优质复合物质晶圆的制造而不再需要额外的处理步骤。即使在运行的第一次制作,期间使用新鲜捐助衬底,要实现隔热层的热治疗步骤可以进行在通常温度下没有太沉重影响结晶质量的传输层。低温度制度还允许纾缓的初始新鲜捐助硅片制造,因为它是可能的使用减少晶体的质量,还可以回收至少三次捐助晶片。

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方法允许生产优良品质化合物物质薄酥饼,无需要求进一步另外的治疗步。在第一制造奔跑期间,使用一个新鲜的施主基体,即使,达到绝缘层的热量治疗步能被执行在通常温度,无需太重影响转移的层数的水晶质量。

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方法允许生产质量好的复合物质薄酥饼,无需要求进一步另外的治疗步。 即使在第一制造奔跑期间,使用一个新鲜的施主基体,达到绝缘层的热量治疗步能被执行在通常温度,无需太重影响转移的层数的水晶质量。 低温政权也准许缓和生产最初的新鲜的施主薄酥饼,因为使用可能仍然回收至少三次减少的水晶质量的施主薄酥饼是可能的。
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