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锗绝缘体结构处理方法,例如微电子应用,包括使用热处理温度为最多三小时的特定值之间的范围内处理结构

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锗的绝缘结构处理方法,例如微电子应用程序,包括处理结构,使用散热治疗在一定温度范围介于特定值的最大的三个小时

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锗对绝缘子结构治疗方法例如微电子应用,涉及到治疗结构在温度范围最多三个小时的特定值之间使用热处理

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在对待微电子学应用的绝缘体结构的即锗方法,介入对待结构使用热治疗在排列在最多的具体价值之间的温度三个小时

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锗在对待方法为即的绝缘体结构。 微电子学应用,介入对待结构使用热治疗在排列在具体价值之间的温度为最多三个小时
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